STI20N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI20N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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STI20N65M5 Datasheet (PDF)
stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf
STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max3321 1STB20N65M5D2PAKI2PAKSTI20N65M5710 V 0.19 18 ATABSTP20N65M5STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area32
stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf
STB200N6F3, STI200N6F3STP200N6F3N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB200N6F3 60 V
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Liste
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