STI20N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI20N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI20N65M5 datasheet

 ..1. Size:1169K  st
 stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf pdf_icon

STI20N65M5

STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5 N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 2 TJmax max 3 3 2 1 1 STB20N65M5 D2PAK I2PAK STI20N65M5 710 V 0.19 18 A TAB STP20N65M5 STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area 3 2

 9.1. Size:854K  st
 stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf pdf_icon

STI20N65M5

STB200N6F3, STI200N6F3 STP200N6F3 N-channel 60 V, 3 m , 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200N6F3 60 V

Otros transistores... STI150N10F7, STI15NM60N, STI15NM60ND, STI16NM50N, STI17NF25, STI18N65M2, STI18N65M5, STI19NM65N, IRFB4115, STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, STI260N6F6, STI33N60M2, STI33N65M2, STI360N4F6, STI400N4F6