STI20N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI20N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI20N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI20N65M5 даташит

 ..1. Size:1169K  st
 stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf pdf_icon

STI20N65M5

STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5 N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 2 TJmax max 3 3 2 1 1 STB20N65M5 D2PAK I2PAK STI20N65M5 710 V 0.19 18 A TAB STP20N65M5 STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area 3 2

 9.1. Size:854K  st
 stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf pdf_icon

STI20N65M5

STB200N6F3, STI200N6F3 STP200N6F3 N-channel 60 V, 3 m , 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200N6F3 60 V

Другие IGBT... STI150N10F7, STI15NM60N, STI15NM60ND, STI16NM50N, STI17NF25, STI18N65M2, STI18N65M5, STI19NM65N, IRFB4115, STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, STI260N6F6, STI33N60M2, STI33N65M2, STI360N4F6, STI400N4F6