STI260N6F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STI260N6F6
   Código: 260N6F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 183 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI260N6F6

STI260N6F6 Datasheet (PDF)

..1. Size:703K st
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V

..2. Size:750K st
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V

9.1. Size:743K st
sti26nm60n.pdf

STI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK packageDatasheet - obsolete productFeatures Order code VDS RDS(on) max IDTABSTI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge32 Low gate input resistance12I PAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter

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Liste

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