STI260N6F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI260N6F6
Código: 260N6F6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 183 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI260N6F6
STI260N6F6 Datasheet (PDF)
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf
STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V
sti260n6f6 stp260n6f6.pdf
STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V
sti26nm60n.pdf
STI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK packageDatasheet - obsolete productFeatures Order code VDS RDS(on) max IDTABSTI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge32 Low gate input resistance12I PAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F