Справочник MOSFET. STI260N6F6

 

STI260N6F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI260N6F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI260N6F6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI260N6F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V

 ..2. Size:750K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V

 9.1. Size:743K  st
 sti26nm60n.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK packageDatasheet - obsolete productFeatures Order code VDS RDS(on) max IDTABSTI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge32 Low gate input resistance12I PAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter

Другие MOSFET... STI17NF25 , STI18N65M2 , STI18N65M5 , STI19NM65N , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , STI24N60M2 , STP75NF75 , STI33N60M2 , STI33N65M2 , STI360N4F6 , STI400N4F6 , STI40N65M2 , STI45N10F7 , STI57N65M5 , STI5N52U .

History: STP25N80K5 | WMN38N60C2 | D7509 | WMK15N65C2 | IRFR6215 | NTTFS4H05N | SSF65R120S2

 

 
Back to Top

 


 
.