STI260N6F6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI260N6F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI260N6F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI260N6F6 даташит

 ..1. Size:703K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI260N6F6 STP260N6F6 N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, I PAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Order codes VDSS RDS(on) max ID STP260N6F6 60 V

 ..2. Size:750K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI260N6F6 STP260N6F6 N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in TO-220 and I PAK packages Features Order codes VDSS RDS(on) max ID TAB TAB STI260N6F6 60 V

 9.1. Size:743K  st
 sti26nm60n.pdf pdf_icon

STI260N6F6

STI26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK package Datasheet - obsolete product Features Order code VDS RDS(on) max ID TAB STI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 2 Low gate input resistance 1 2 I PAK Applications Switching applications Description Figure 1. Inter

Другие IGBT... STI17NF25, STI18N65M2, STI18N65M5, STI19NM65N, STI20N65M5, STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, 7N65, STI33N60M2, STI33N65M2, STI360N4F6, STI400N4F6, STI40N65M2, STI45N10F7, STI57N65M5, STI5N52U