STI40N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STI40N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI40N65M2

STI40N65M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:440K st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdf

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 232 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1IPAK TO-220 100% avalanche tested

9.1. Size:174K st
sti400n4f6 stp400n4f6.pdf

STI400N4F6, STP400N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI400N4F640 V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME2324D-G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: