STI40N65M2 Todos los transistores

 

STI40N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI40N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI40N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  st
 sti40n65m2 stp40n65m2.pdf pdf_icon

STI40N65M2

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 232 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1IPAK TO-220 100% avalanche tested

 9.1. Size:174K  st
 sti400n4f6 stp400n4f6.pdf pdf_icon

STI40N65M2

STI400N4F6, STP400N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI400N4F640 V

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History: IRL1404Z | IRFAC30 | FDBL9406-F085 | SRT10N070HD | MTB60A06Q8 | SWF15N50DA | IPN70R1K0CE

 

 
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