STI40N65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI40N65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI40N65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI40N65M2 даташит

 ..1. Size:440K  st
 sti40n65m2 stp40n65m2.pdf pdf_icon

STI40N65M2

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

 9.1. Size:174K  st
 sti400n4f6 stp400n4f6.pdf pdf_icon

STI40N65M2

STI400N4F6, STP400N4F6 N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDSS RDS(on) max ID TAB TAB STI400N4F6 40 V

Другие IGBT... STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, STI260N6F6, STI33N60M2, STI33N65M2, STI360N4F6, STI400N4F6, 2SK3878, STI45N10F7, STI57N65M5, STI5N52U, STI60N55F3, STI6N80K5, STI76NF75, STI90N4F3, STK20N75F3