STI45N10F7 Todos los transistores

 

STI45N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI45N10F7
   Código: 45N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI45N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  st
 std45n10f7 sti45n10f7 stp45n10f7.pdf pdf_icon

STI45N10F7

STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 45 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS ID PTOTmax.(1)13 STD45N10F7DPAK212 STI45N10F7 100 V 0.018 45 A 60 WI PAKTABSTP45N10F71. @ VGS = 10 V Ultra low on-resistance32

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History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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