STI45N10F7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI45N10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI45N10F7 datasheet

 ..1. Size:1166K  st
 std45n10f7 sti45n10f7 stp45n10f7.pdf pdf_icon

STI45N10F7

STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7 N-channel 100 V, 0.0145 typ., 45 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS ID PTOT max.(1) 1 3 STD45N10F7 DPAK 2 1 2 STI45N10F7 100 V 0.018 45 A 60 W I PAK TAB STP45N10F7 1. @ VGS = 10 V Ultra low on-resistance 3 2

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