STI45N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STI45N10F7
Маркировка: 45N10F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STI45N10F7
STI45N10F7 Datasheet (PDF)
std45n10f7 sti45n10f7 stp45n10f7.pdf
STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 45 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS ID PTOTmax.(1)13 STD45N10F7DPAK212 STI45N10F7 100 V 0.018 45 A 60 WI PAKTABSTP45N10F71. @ VGS = 10 V Ultra low on-resistance32
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F