STK850 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK850
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Encapsulados: POLARPAK
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STK850 datasheet
stk850.pdf
STK850 N-channel 30V - 0.0024 - 30A - PolarPAK STripFET Power MOSFET Features VDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOT Type STK850 30V
Otros transistores... STI90N4F3, STK20N75F3, STK22N6F3, STK28N3LLH5, STK38N3LLH5, STK800, STK820, STK822, 12N60, STL100N10F7, STL100NH3LL, STL105NS3LLH7, STL10N60M2, STL110N10F7, STL110NS3LLH7, STL11N4LLF5, STL11N65M5
History: IRF7831PBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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