Справочник MOSFET. STK850

 

STK850 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK850
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для STK850

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  st
stk850.pdfpdf_icon

STK850

STK850N-channel 30V - 0.0024 - 30A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK850 30V

Другие MOSFET... STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , STK820 , STK822 , 4N60 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 , STL11N4LLF5 , STL11N65M5 .

History: CS12N06AE-G | TMU4N60H | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.