STL15N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL15N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.375 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT-HV

 Búsqueda de reemplazo de STL15N65M5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STL15N65M5 datasheet

 ..1. Size:1411K  st
 stl15n65m5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

 8.1. Size:849K  st
 stl15n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

STL15N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0045 , 15 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL15N3LLH5 30 V

 9.1. Size:775K  st
 stl15dn4f5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double

 9.2. Size:522K  st
 stl150n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, STL130N8F7, STL13DP10F6, STL13N60M2, STL13N65M2, 5N60, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5