STL15N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL15N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.375 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT-HV

Аналог (замена) для STL15N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL15N65M5 даташит

 ..1. Size:1411K  st
 stl15n65m5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

 8.1. Size:849K  st
 stl15n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

STL15N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0045 , 15 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL15N3LLH5 30 V

 9.1. Size:775K  st
 stl15dn4f5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double

 9.2. Size:522K  st
 stl150n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N65M5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, STL130N8F7, STL13DP10F6, STL13N60M2, STL13N65M2, 5N60, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5