STL19N65M5 Todos los transistores

 

STL19N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL19N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 

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STL19N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  st
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STL19N65M5

STL19N65M5N-channel 650 V, 0.215 typ., 12.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on)max. IDS(3)S(3)STL19N65M5 710 V 0.240 12.5 A(1)S(3)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package.D(2) Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt ca

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History: R6008FNX | DMN2020LSN | R5205CND | 65N06A | SRC60R045FB | GSM3484S | UTT200N03

 

 
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