STL19N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL19N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de STL19N65M5 MOSFET
STL19N65M5 Datasheet (PDF)
stl19n65m5.pdf

STL19N65M5N-channel 650 V, 0.215 typ., 12.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on)max. IDS(3)S(3)STL19N65M5 710 V 0.240 12.5 A(1)S(3)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package.D(2) Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt ca
Otros transistores... STL160NS3LLH7 , STL16N60M2 , STL16N65M2 , STL17N65M5 , STL180N4LLF6 , STL18N60M2 , STL18N65M2 , STL18N65M5 , AON6380 , STL20DN10F7 , STL20NM20N , STL220N3LLH7 , STL22N65M5 , STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , STL24N60M2 , STL260N3LLH6 .
History: SM3416 | SRT04N016LTC-GS | AP70WN2K8H | AS2304 | TPB65R075DFD | BUK7K18-40E | IXFQ8N85X
History: SM3416 | SRT04N016LTC-GS | AP70WN2K8H | AS2304 | TPB65R075DFD | BUK7K18-40E | IXFQ8N85X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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