STL19N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL19N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL19N65M5

STL19N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1169K st
stl19n65m5.pdf

STL19N65M5N-channel 650 V, 0.215 typ., 12.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on)max. IDS(3)S(3)STL19N65M5 710 V 0.240 12.5 A(1)S(3)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package.D(2) Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt ca

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: