STL19N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL19N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL19N65M5 datasheet

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STL19N65M5

STL19N65M5 N-channel 650 V, 0.215 typ., 12.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID S(3) S(3) STL19N65M5 710 V 0.240 12.5 A(1) S(3) G(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. D(2) Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt ca

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