STL19N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL19N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL19N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL19N65M5 даташит

 ..1. Size:1169K  st
 stl19n65m5.pdf pdf_icon

STL19N65M5

STL19N65M5 N-channel 650 V, 0.215 typ., 12.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID S(3) S(3) STL19N65M5 710 V 0.240 12.5 A(1) S(3) G(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. D(2) Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high dv/dt ca

Другие IGBT... STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5, IRFZ24N, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6