STL20DN10F7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL20DN10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL20DN10F7 datasheet

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STL20DN10F7

STL20DN10F7 Dual N-channel 100 V, 0.059 typ., 5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet - production data Features 1 Order code VDS RDS(on) max ID 4 STL20DN10F7 100 V 0.067 5 A 1 8 N-channel enhancement mode 4 5 Lower RDS(on) x area vs previous generation 100% avalanche rated PowerFLAT 5x6 double isl

 9.1. Size:407K  st
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STL20DN10F7

STL20NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STL20NM20N 200 V

Otros transistores... STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5, STL19N65M5, 2N60, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5