Справочник MOSFET. STL20DN10F7

 

STL20DN10F7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL20DN10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
 

 Аналог (замена) для STL20DN10F7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL20DN10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  st
 stl20dn10f7.pdf pdf_icon

STL20DN10F7

STL20DN10F7Dual N-channel 100 V, 0.059 typ., 5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet - production dataFeatures1Order code VDS RDS(on) max ID4STL20DN10F7 100 V 0.067 5 A18 N-channel enhancement mode45 Lower RDS(on) x area vs previous generation 100% avalanche ratedPowerFLAT 5x6double isl

 9.1. Size:407K  st
 stl20nm20n.pdf pdf_icon

STL20DN10F7

STL20NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 20A PowerFLATULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTL20NM20N 200 V

Другие MOSFET... STL16N60M2 , STL16N65M2 , STL17N65M5 , STL180N4LLF6 , STL18N60M2 , STL18N65M2 , STL18N65M5 , STL19N65M5 , IRF830 , STL20NM20N , STL220N3LLH7 , STL22N65M5 , STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , STL24N60M2 , STL260N3LLH6 , STL2N80K5 .

History: PJU1NA60A | IRFH4226 | 2SK3483 | PSMN6R5-80PS | KUK7107-55AIE | SFF1310M | SPW20N60CFD

 

 
Back to Top

 


 
.