STL20DN10F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL20DN10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL20DN10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL20DN10F7 даташит

 ..1. Size:894K  st
 stl20dn10f7.pdf pdf_icon

STL20DN10F7

STL20DN10F7 Dual N-channel 100 V, 0.059 typ., 5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet - production data Features 1 Order code VDS RDS(on) max ID 4 STL20DN10F7 100 V 0.067 5 A 1 8 N-channel enhancement mode 4 5 Lower RDS(on) x area vs previous generation 100% avalanche rated PowerFLAT 5x6 double isl

 9.1. Size:407K  st
 stl20nm20n.pdf pdf_icon

STL20DN10F7

STL20NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STL20NM20N 200 V

Другие IGBT... STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5, STL19N65M5, 2N60, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5