STL22N65M5 Todos los transistores

 

STL22N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL22N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 

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STL22N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  st
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STL22N65M5

STL22N65M5N-channel 650 V, 0.180 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL22N65M5 710 V 0.210 15 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Low

 8.1. Size:324K  st
 stl22nf10.pdf pdf_icon

STL22N65M5

STL22NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 - 22A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET II MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTL22NF10 100 V

 9.1. Size:1208K  st
 stl220n3llh7.pdf pdf_icon

STL22N65M5

STL220N3LLH7N-channel 30 V, 0.00081 typ., 50 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL220N3LLH7 30 V 0.0011 50 A Very low on-resistance1 Very low Qg234 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure

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