STL22N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL22N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL22N65M5 datasheet

 ..1. Size:1156K  st
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STL22N65M5

STL22N65M5 N-channel 650 V, 0.180 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL22N65M5 710 V 0.210 15 A(1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche tested PowerFLAT 8x8 HV Low

 8.1. Size:324K  st
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STL22N65M5

STL22NF10 N-CHANNEL 100V - 0.055 - 22A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STL22NF10 100 V

 9.1. Size:1208K  st
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STL22N65M5

STL220N3LLH7 N-channel 30 V, 0.00081 typ., 50 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL220N3LLH7 30 V 0.0011 50 A Very low on-resistance 1 Very low Qg 2 3 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure

Otros transistores... STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5, STL19N65M5, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, 75N75, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5