Справочник MOSFET. STL22N65M5

 

STL22N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL22N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

 Аналог (замена) для STL22N65M5

 

 

STL22N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  st
 stl22n65m5.pdf

STL22N65M5 STL22N65M5

STL22N65M5N-channel 650 V, 0.180 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL22N65M5 710 V 0.210 15 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Low

 8.1. Size:324K  st
 stl22nf10.pdf

STL22N65M5 STL22N65M5

STL22NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 - 22A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET II MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTL22NF10 100 V

 9.1. Size:1208K  st
 stl220n3llh7.pdf

STL22N65M5 STL22N65M5

STL220N3LLH7N-channel 30 V, 0.00081 typ., 50 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL220N3LLH7 30 V 0.0011 50 A Very low on-resistance1 Very low Qg234 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top