Справочник MOSFET. STL22N65M5

 

STL22N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL22N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL22N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  st
stl22n65m5.pdfpdf_icon

STL22N65M5

STL22N65M5N-channel 650 V, 0.180 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL22N65M5 710 V 0.210 15 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Low

 8.1. Size:324K  st
stl22nf10.pdfpdf_icon

STL22N65M5

STL22NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 - 22A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET II MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTL22NF10 100 V

 9.1. Size:1208K  st
stl220n3llh7.pdfpdf_icon

STL22N65M5

STL220N3LLH7N-channel 30 V, 0.00081 typ., 50 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL220N3LLH7 30 V 0.0011 50 A Very low on-resistance1 Very low Qg234 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 4616 | NP23N06YDG | SSF70R450S | SSFT4004 | IRF3707SPBF | NDT6N65P | IRLIZ24NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.