STL30N10F7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL30N10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL30N10F7 datasheet

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STL30N10F7

STL30N10F7 N-channel 100 V, 0.027 typ., 8 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STL30N10F7 100 V 0.035 8 A 4.8 W(1) 1 2 1. The value is rated according to Rthj-pcb. 3 4 Ultra low on-resistance PowerFLAT 5x6 100% avalanche tested Applications Switchi

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STL30N10F7

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