STL30N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL30N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL30N10F7

STL30N10F7 Datasheet (PDF)

..1. Size:1241K st
stl30n10f7.pdf

STL30N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 8 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTL30N10F7 100 V 0.035 8 A 4.8 W(1)121. The value is rated according to Rthj-pcb.34 Ultra low on-resistancePowerFLAT 5x6 100% avalanche testedApplications Switchi

8.1. Size:169K st
stl30nf3ll.pdf

STL30NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 30A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL30NF3LL 30 V

9.1. Size:1060K st
stl30p3llh6.pdf

STL30P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 9 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL30P3LLH6 30 V 0.03 9 A 4.8 W RDS(on) * Qg industry benchmark123 Extremely low on-resistance RDS(on)4 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesPowerFLAT

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