STL30N10F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL30N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL30N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL30N10F7 даташит

 ..1. Size:1241K  st
 stl30n10f7.pdf pdf_icon

STL30N10F7

STL30N10F7 N-channel 100 V, 0.027 typ., 8 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STL30N10F7 100 V 0.035 8 A 4.8 W(1) 1 2 1. The value is rated according to Rthj-pcb. 3 4 Ultra low on-resistance PowerFLAT 5x6 100% avalanche tested Applications Switchi

 8.1. Size:169K  st
 stl30nf3ll.pdf pdf_icon

STL30N10F7

 9.1. Size:1060K  st
 stl30p3llh6.pdf pdf_icon

STL30N10F7

Другие IGBT... STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, IRFZ48N, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7