Справочник MOSFET. STL30N10F7

 

STL30N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL30N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6

 Аналог (замена) для STL30N10F7

 

 

STL30N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1241K  st
 stl30n10f7.pdf

STL30N10F7 STL30N10F7

STL30N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 8 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTL30N10F7 100 V 0.035 8 A 4.8 W(1)121. The value is rated according to Rthj-pcb.34 Ultra low on-resistancePowerFLAT 5x6 100% avalanche testedApplications Switchi

 8.1. Size:169K  st
 stl30nf3ll.pdf

STL30N10F7 STL30N10F7

STL30NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 30A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL30NF3LL 30 V

 9.1. Size:1060K  st
 stl30p3llh6.pdf

STL30N10F7 STL30N10F7

STL30P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 9 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL30P3LLH6 30 V 0.03 9 A 4.8 W RDS(on) * Qg industry benchmark123 Extremely low on-resistance RDS(on)4 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesPowerFLAT

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top