STL31N65M5 Todos los transistores

 

STL31N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL31N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.162 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL31N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  st
 stl31n65m5.pdf pdf_icon

STL31N65M5

STL31N65M5N-channel 650 V, 0.135 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2) STL31N65M5 710 V 0.162 15 A(1)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3)package. Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high d

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History: RFL1N10L | STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | AUIRF2804

 

 
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