STL31N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL31N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.162 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL31N65M5 datasheet

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STL31N65M5

STL31N65M5 N-channel 650 V, 0.135 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL31N65M5 710 V 0.162 15 A(1) G(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3) package. Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high d

Otros transistores... STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, IRF830, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N