STL31N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL31N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.162 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL31N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL31N65M5 даташит

 ..1. Size:1249K  st
 stl31n65m5.pdf pdf_icon

STL31N65M5

STL31N65M5 N-channel 650 V, 0.135 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL31N65M5 710 V 0.162 15 A(1) G(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3) package. Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating and high d

Другие IGBT... STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, IRF830, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N