STL33N60M2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL33N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL33N60M2 datasheet

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STL33N60M2

STL33N60M2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code V DS @ T R I Jmax DS(on)max D STL33N60M2 650 V 0.135 22 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app

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STL33N60M2

STL33N60DM2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features V DS @ Order code RDS(on)max ID T Jmax 5 STL33N60DM2 650 V 0.140 21 A 4 3 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance PowerFLAT 8x8 HV 100% ava

Otros transistores... STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, IRLB3034, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL