STL33N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STL33N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
Аналог (замена) для STL33N60M2
STL33N60M2 Datasheet (PDF)
stl33n60m2.pdf

STL33N60M2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ T R I Jmax DS(on)max DSTL33N60M2 650 V 0.135 22 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching app
stl33n60dm2.pdf

STL33N60DM2 N-channel 600 V, 0.115 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features VDS @ Order code RDS(on)max ID T Jmax5STL33N60DM2 650 V 0.140 21 A 432 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance PowerFLAT 8x8 HV 100% ava
Другие MOSFET... STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , STL24N60M2 , STL260N3LLH6 , STL2N80K5 , STL30N10F7 , STL30P3LLH6 , STL31N65M5 , EMB04N03H , STL34N65M5 , STL35N6F3 , STL36N55M5 , STL38N65M5 , STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL .
History: 2SK3078 | C2T225 | WST6045
History: 2SK3078 | C2T225 | WST6045



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10