STL34N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL34N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL34N65M5
STL34N65M5 Datasheet (PDF)
stl34n65m5.pdf
STL34N65M5N-channel 650 V, 0.099 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)STL34N65M5 710 V 0.120 22.5 A(1)G(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Lo
stl34nf06.pdf
STL34NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 34APowerFLATLOW GATE CHARGE STripFETII MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL34NF06 60 V
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