STL34N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL34N65M5
   Código: 34N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV

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STL34N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1102K st
stl34n65m5.pdf

STL34N65M5N-channel 650 V, 0.099 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)STL34N65M5 710 V 0.120 22.5 A(1)G(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Lo

8.1. Size:114K st
stl34nf06.pdf