Справочник MOSFET. STL34N65M5

 

STL34N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL34N65M5
   Маркировка: 34N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

 Аналог (замена) для STL34N65M5

 

 

STL34N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1102K  st
 stl34n65m5.pdf

STL34N65M5 STL34N65M5

STL34N65M5N-channel 650 V, 0.099 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)STL34N65M5 710 V 0.120 22.5 A(1)G(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV Lo

 8.1. Size:114K  st
 stl34nf06.pdf

STL34N65M5 STL34N65M5

STL34NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 34APowerFLATLOW GATE CHARGE STripFETII MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL34NF06 60 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top