STL3N10F7 Todos los transistores

 

STL3N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL3N10F7
   Código: ST3N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT2X2
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL3N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  st
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STL3N10F7

STL3N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID12STL3N10F7 100 V 0.07 4 A 3 N-channel enhancement mode6152 Low gate charge43 100% avalanche ratedPowerFLAT 2x2Applications Switching applicationsDescripti

 9.1. Size:801K  st
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STL3N10F7

STL3NK40N-channel 400 V, 4.5 typ., 0.43 A, SuperMESH Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOT67 7855STL3NK40 400 V 5.5 0.43 A 2.5 W1144 Extremely high dv/dt capability12 100% avalanche rated11 1214 Gate charge minimizedType C Type S Very low intrinsic capaci

 9.2. Size:860K  st
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STL3N10F7

STL3NM60NN-channel 600 V, 1.5 , 2.2 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code RDS(on) max. ID1234STL3NM60N 1.8 2.2 A 100% avalanche tested857667 Low input capacitance and gate charge58 Low gate input resistancePowerFLAT 3.3x3.3 HVApplication Switching appli

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