STL3N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL3N10F7
Маркировка: ST3N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT2X2
STL3N10F7 Datasheet (PDF)
stl3n10f7.pdf
STL3N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID12STL3N10F7 100 V 0.07 4 A 3 N-channel enhancement mode6152 Low gate charge43 100% avalanche ratedPowerFLAT 2x2Applications Switching applicationsDescripti
stl3nk40.pdf
STL3NK40N-channel 400 V, 4.5 typ., 0.43 A, SuperMESH Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOT67 7855STL3NK40 400 V 5.5 0.43 A 2.5 W1144 Extremely high dv/dt capability12 100% avalanche rated11 1214 Gate charge minimizedType C Type S Very low intrinsic capaci
stl3nm60n.pdf
STL3NM60NN-channel 600 V, 1.5 , 2.2 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code RDS(on) max. ID1234STL3NM60N 1.8 2.2 A 100% avalanche tested857667 Low input capacitance and gate charge58 Low gate input resistancePowerFLAT 3.3x3.3 HVApplication Switching appli
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
