STL4P2UH7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL4P2UH7
   Código: 4L2U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL4P2UH7

STL4P2UH7 Datasheet (PDF)

..1. Size:420K st
stl4p2uh7.pdf

STL4P2UH7P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID12 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A3 Ultra logic level6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche ruggednessPowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

9.1. Size:760K st
stl4p3llh6.pdf

STL4P3LLH6P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - preliminary dataFeatures1Order code VDSS RDS(on) max. ID23STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on)61 Very low gate charge5243 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossPowerFLAT 2x2

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Liste

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