STL4P2UH7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL4P2UH7  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT2X2

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STL4P2UH7 datasheet

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STL4P2UH7

STL4P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID 1 2 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A 3 Ultra logic level 6 1 5 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 4 3 High avalanche ruggedness PowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

 9.1. Size:760K  st
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STL4P2UH7

STL4P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 package Datasheet - preliminary data Features 1 Order code VDSS RDS(on) max. ID 2 3 STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on) 6 1 Very low gate charge 5 2 4 3 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 2x2

Otros transistores... STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, STL42P6LLF6, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, IRF840, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL