STL4P2UH7 Todos los transistores

 

STL4P2UH7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL4P2UH7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT2X2
 

 Búsqueda de reemplazo de STL4P2UH7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STL4P2UH7 datasheet

 ..1. Size:420K  st
 stl4p2uh7.pdf pdf_icon

STL4P2UH7

STL4P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID 1 2 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A 3 Ultra logic level 6 1 5 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 4 3 High avalanche ruggedness PowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

 9.1. Size:760K  st
 stl4p3llh6.pdf pdf_icon

STL4P2UH7

STL4P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 package Datasheet - preliminary data Features 1 Order code VDSS RDS(on) max. ID 2 3 STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on) 6 1 Very low gate charge 5 2 4 3 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 2x2

Otros transistores... STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , IRF740 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , STL55NH3LL , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 , STL60N10F7 , STL60NH3LL .

 

 
Back to Top

 


 
.