STL4P2UH7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL4P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT2X2

Аналог (замена) для STL4P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL4P2UH7 даташит

 ..1. Size:420K  st
 stl4p2uh7.pdf pdf_icon

STL4P2UH7

STL4P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID 1 2 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A 3 Ultra logic level 6 1 5 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 4 3 High avalanche ruggedness PowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

 9.1. Size:760K  st
 stl4p3llh6.pdf pdf_icon

STL4P2UH7

STL4P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 package Datasheet - preliminary data Features 1 Order code VDSS RDS(on) max. ID 2 3 STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on) 6 1 Very low gate charge 5 2 4 3 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 2x2

Другие IGBT... STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, STL42P6LLF6, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, IRF740, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL