STL57N65M5 Todos los transistores

 

STL57N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL57N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8
 

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STL57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  st
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STL57N65M5

STL57N65M5N-channel 650 V, 0.061 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL57N65M5 710 V 0.069 22.5 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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