STL57N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL57N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8

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STL57N65M5 datasheet

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STL57N65M5

STL57N65M5 N-channel 650 V, 0.061 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL57N65M5 710 V 0.069 22.5 A(1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package 100% avalanche tested PowerFLAT 8x8 HV

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