Справочник MOSFET. STL57N65M5

 

STL57N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL57N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  st
 stl57n65m5.pdf pdf_icon

STL57N65M5

STL57N65M5N-channel 650 V, 0.061 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL57N65M5 710 V 0.069 22.5 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTK9451 | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | HM4885 | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.