STL57N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL57N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8

Аналог (замена) для STL57N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL57N65M5 даташит

 ..1. Size:1062K  st
 stl57n65m5.pdf pdf_icon

STL57N65M5

STL57N65M5 N-channel 650 V, 0.061 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL57N65M5 710 V 0.069 22.5 A(1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package 100% avalanche tested PowerFLAT 8x8 HV

Другие IGBT... STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, 50N06, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5