STL58N3LLH5 Todos los transistores

 

STL58N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL58N3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL58N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  st
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STL58N3LLH5

STL58N3LLH5Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL58N3LLH5 30 V 0.009 56 A Designed for automotive applications and1AEC-Q101 qualified234 Low on-resistance High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gate

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History: DHE90N055R | DH060N03R | OSS60R099JF | LSGG04R028 | BSB280N15NZ3G | LSGG06R034W3 | OSS60R099KF

 

 
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