Справочник MOSFET. STL58N3LLH5

 

STL58N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL58N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL58N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  st
 stl58n3llh5.pdf pdf_icon

STL58N3LLH5

STL58N3LLH5Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL58N3LLH5 30 V 0.009 56 A Designed for automotive applications and1AEC-Q101 qualified234 Low on-resistance High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gate

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTE55N10FP | SIHG47N60S | NTP5412NG | HGI110N08AL | AOD609 | IRFI634G | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.