STL58N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL58N3LLH5
Маркировка: 58N3LH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL58N3LLH5
STL58N3LLH5 Datasheet (PDF)
..1. Size:705K st
stl58n3llh5.pdf
stl58n3llh5.pdf
STL58N3LLH5Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL58N3LLH5 30 V 0.009 56 A Designed for automotive applications and1AEC-Q101 qualified234 Low on-resistance High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gate
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
