STL58N3LLH5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL58N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL58N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL58N3LLH5 даташит

 ..1. Size:705K  st
 stl58n3llh5.pdf pdf_icon

STL58N3LLH5

STL58N3LLH5 Automotive-grade N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL58N3LLH5 30 V 0.009 56 A Designed for automotive applications and 1 AEC-Q101 qualified 2 3 4 Low on-resistance High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate

Другие IGBT... STL4N10F7, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, IRFP460, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6