STL60N10F7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL60N10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL60N10F7 datasheet

 ..1. Size:1280K  st
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STL60N10F7

STL60N10F7 N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W 1 2 3 4 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1. Intern

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STL60N10F7

STL60NH3LL N-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STL60NH3LL 30V

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STL60N10F7

STL60N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL60N3LLH5 30 V

 8.3. Size:1420K  st
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STL60N10F7

STL60N32N3LL Dual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6 asymmetrical double island, STripFET Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) ID 4 Q1 30 V

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