STL60N10F7 Todos los transistores

 

STL60N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL60N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL60N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1280K  st
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STL60N10F7

STL60N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W1234 Ultra low on-resistance 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Intern

 8.1. Size:384K  st
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STL60N10F7

STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V

 8.2. Size:583K  st
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STL60N10F7

STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V

 8.3. Size:1420K  st
 stl60n32n3ll.pdf pdf_icon

STL60N10F7

STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V

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History: KIA2906A-247 | CTM09N20 | SUD80460E | NVTFS002N04CL | SIHFBC30S | SST65R280S2E | 2N60G-T6C-K

 

 
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