STL60N10F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL60N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL60N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL60N10F7 даташит

 ..1. Size:1280K  st
 stl60n10f7.pdf pdf_icon

STL60N10F7

STL60N10F7 N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W 1 2 3 4 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1. Intern

 8.1. Size:384K  st
 stl60nh3ll.pdf pdf_icon

STL60N10F7

STL60NH3LL N-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STL60NH3LL 30V

 8.2. Size:583K  st
 stl60n3llh5.pdf pdf_icon

STL60N10F7

STL60N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL60N3LLH5 30 V

 8.3. Size:1420K  st
 stl60n32n3ll.pdf pdf_icon

STL60N10F7

STL60N32N3LL Dual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6 asymmetrical double island, STripFET Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) ID 4 Q1 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, IRFZ44, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N