STL60P4LLF6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL60P4LLF6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL60P4LLF6 datasheet

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STL60P4LLF6

STL60P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0115 typ.,60 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure 1 Internal schematic diagram This device is a P-channel Power MOSFET d

 9.1. Size:384K  st
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STL60P4LLF6

STL60NH3LL N-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STL60NH3LL 30V

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STL60P4LLF6

STL60N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL60N3LLH5 30 V

 9.3. Size:1420K  st
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STL60P4LLF6

STL60N32N3LL Dual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6 asymmetrical double island, STripFET Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) ID 4 Q1 30 V

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