STL60P4LLF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL60P4LLF6
Código: 60P4LLF6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL60P4LLF6
STL60P4LLF6 Datasheet (PDF)
stl60p4llf6.pdf
STL60P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0115 typ.,60 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure 1: Internal schematic diagram This device is a P-channel Power MOSFET d
stl60nh3ll.pdf
STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V
stl60n3llh5.pdf
STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V
stl60n32n3ll.pdf
STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V
stl60n10f7.pdf
STL60N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 12 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTL60N10F7 100 V 0.018 12 A 5 W1234 Ultra low on-resistance 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Intern
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