STL60P4LLF6 Todos los transistores

 

STL60P4LLF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL60P4LLF6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL60P4LLF6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  st
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STL60P4LLF6

STL60P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0115 typ.,60 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure 1: Internal schematic diagram This device is a P-channel Power MOSFET d

 9.1. Size:384K  st
 stl60nh3ll.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60NH3LLN-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STL60NH3LL 30V

 9.2. Size:583K  st
 stl60n3llh5.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60N3LLH5N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL60N3LLH5 30 V

 9.3. Size:1420K  st
 stl60n32n3ll.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60N32N3LLDual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6asymmetrical double island, STripFET Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID4Q1 30 V

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History: BL12N70-A | APT20M20B2FLLG | IXFT21N50Q | DKI06075 | 2N60K | DH033N04 | STU75N3LLH6

 

 
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