STL60P4LLF6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL60P4LLF6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL60P4LLF6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL60P4LLF6 даташит

 ..1. Size:881K  st
 stl60p4llf6.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0115 typ.,60 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure 1 Internal schematic diagram This device is a P-channel Power MOSFET d

 9.1. Size:384K  st
 stl60nh3ll.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60NH3LL N-channel 30 V - 0.0065 - 30 A - PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STL60NH3LL 30V

 9.2. Size:583K  st
 stl60n3llh5.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0063 , 17 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL60N3LLH5 30 V

 9.3. Size:1420K  st
 stl60n32n3ll.pdf pdf_icon

STL60P4LLF6

STL60N32N3LL Dual N-channel 30 V, 0.005 , 15 A PowerFLAT 5x6 asymmetrical double island, STripFET Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) ID 4 Q1 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, IRF1404, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3