STL6P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL6P3LLH6
Código: 6P3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL6P3LLH6
STL6P3LLH6 Datasheet (PDF)
stl6p3llh6.pdf
STL6P3LLH6 P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications 1 Switching applications 234Description PowerFL AT 3.3 x 3.3This device is a P-channel Power MO
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918