STL6P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL6P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de STL6P3LLH6 MOSFET
STL6P3LLH6 Datasheet (PDF)
stl6p3llh6.pdf

STL6P3LLH6 P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications 1 Switching applications 234Description PowerFL AT 3.3 x 3.3This device is a P-channel Power MO
Otros transistores... STL60NH3LL , STL60P4LLF6 , STL62P3LLH6 , STL66DN3LLH5 , STL66N3LLH5 , STL6N2VH5 , STL6N3LLH6 , STL6NM60N , P55NF06 , STL70N10F3 , STL75NH3LL , STL7DN6LF3 , STL7N10F7 , STL7N6LF3 , STL7N80K5 , STL86N3LLH6AG , STL8DN10LF3 .
History: HX70N06-TA3
History: HX70N06-TA3



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