STL6P3LLH6 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STL6P3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
Аналог (замена) для STL6P3LLH6
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STL6P3LLH6 даташит
stl6p3llh6.pdf
STL6P3LLH6 P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications 1 Switching applications 2 3 4 Description PowerFL AT 3.3 x 3.3 This device is a P-channel Power MO
Другие IGBT... STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, IRF3710, STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815

