STL70N10F3 Todos los transistores

 

STL70N10F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL70N10F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL70N10F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  st
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STL70N10F3

STL70N10F3N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOTSTL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W1 Improved die-to-footprint ratio234 Very low thermal resistancePowerFLAT 5x6 Low on-resistanceApplications Switching applications

 8.1. Size:264K  st
 stl70n4llf5.pdf pdf_icon

STL70N10F3

STL70N4LLF5N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesA

 8.2. Size:544K  st
 stl70n2llh5.pdf pdf_icon

STL70N10F3

STL70N2LLH5N-channel 30 V, 0.0059 , 18 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID8max5STL70N2LLH5 30 V

Otros transistores... STL60P4LLF6 , STL62P3LLH6 , STL66DN3LLH5 , STL66N3LLH5 , STL6N2VH5 , STL6N3LLH6 , STL6NM60N , STL6P3LLH6 , IRFB4227 , STL75NH3LL , STL7DN6LF3 , STL7N10F7 , STL7N6LF3 , STL7N80K5 , STL86N3LLH6AG , STL8DN10LF3 , STL8DN4LLF6 .

History: AUIRF7640S2 | NTMFS4837NT1G | QM3001V | 2SK1662M

 

 
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