STL70N10F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL70N10F3
   Código: 70N10F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL70N10F3

STL70N10F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:906K st
stl70n10f3.pdf

STL70N10F3N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOTSTL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W1 Improved die-to-footprint ratio234 Very low thermal resistancePowerFLAT 5x6 Low on-resistanceApplications Switching applications

8.1. Size:264K st
stl70n4llf5.pdf

STL70N4LLF5N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesA

8.2. Size:544K st
stl70n2llh5.pdf