STL70N10F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL70N10F3
Маркировка: 70N10F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL70N10F3
STL70N10F3 Datasheet (PDF)
stl70n10f3.pdf
STL70N10F3N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOTSTL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W1 Improved die-to-footprint ratio234 Very low thermal resistancePowerFLAT 5x6 Low on-resistanceApplications Switching applications
stl70n4llf5.pdf
STL70N4LLF5N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesA
stl70n2llh5.pdf
STL70N2LLH5N-channel 30 V, 0.0059 , 18 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID8max5STL70N2LLH5 30 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
