STL70N10F3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL70N10F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL70N10F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL70N10F3 даташит

 ..1. Size:906K  st
 stl70n10f3.pdf pdf_icon

STL70N10F3

STL70N10F3 N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features RDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOT STL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W 1 Improved die-to-footprint ratio 2 3 4 Very low thermal resistance PowerFLAT 5x6 Low on-resistance Applications Switching applications

 8.1. Size:264K  st
 stl70n4llf5.pdf pdf_icon

STL70N10F3

STL70N4LLF5 N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5) STripFET V Power MOSFET Preliminary Data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses A

 8.2. Size:544K  st
 stl70n2llh5.pdf pdf_icon

STL70N10F3

STL70N2LLH5 N-channel 30 V, 0.0059 , 18 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID 8 max 5 STL70N2LLH5 30 V

Другие IGBT... STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, 10N60, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6