IXFT30N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT30N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO268

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXFT30N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFT30N50 datasheet

 ..1. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf pdf_icon

IXFT30N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT 30N50 500 V 30 A 0.16 W Power MOSFETs IXFH/IXFT 32N50 500 V 32 A 0.15 W N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) ID25 TC

 0.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf pdf_icon

IXFT30N50

VDSS = 500 V IXFH 30N50P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 30 A IXFT 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50P N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns IXFV 30N50PS Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V D (TAB) VDGR TJ = 25 C to

 0.2. Size:109K  ixys
 ixft30n50q.pdf pdf_icon

IXFT30N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFH/IXFT 30N50Q 500 V 30 A 0.16 IXFH/IXFT 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS =

 7.1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFT30N50

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFT14N100, IXFT15N100, IXFT15N80Q, IXFT20N60Q, IXFT20N80Q, IXFT24N100, IXFT26N50Q, IXFT26N60Q, P55NF06, IXFT32N50, IXFT32N50Q, IXFT40N30Q, IXFT4N100Q, IXFT52N30Q, IXFT58N20Q, IXFT60N25Q, IXFT6N100Q