Справочник MOSFET. IXFT30N50

 

IXFT30N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFT30N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 227 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT30N50

 

 

IXFT30N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT 30N50500 V 30 A 0.16 WPower MOSFETsIXFH/IXFT 32N50500 V 32 A 0.15 WN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Familytrr 250 nsTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC

 0.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

VDSS = 500 VIXFH 30N50PPolarHVTM HiPerFETID25 = 30 AIXFT 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50PN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsIXFV 30N50PSAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VD (TAB)VDGR TJ = 25 C to

 0.2. Size:109K  ixys
 ixft30n50q.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMPower MOSFETsIXFH/IXFT 30N50Q 500 V 30 A 0.16 IXFH/IXFT 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS =

 7.1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT30N60XPower MOSFET ID25 = 30AIXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60XTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VGVDGR TJ = 25C to 150

 7.2. Size:583K  ixys
 ixft30n60q.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

IXFH 30N60Q VDSS = 600 VHiPerFETTMIXFT 30N60Q ID25 = 30 APower MOSFETsRDS(on) = 0.23 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 V(TAB

 7.3. Size:324K  ixys
 ixfh30n60p ixfv30n60p ixft30n60p.pdf

IXFT30N50 IXFT30N50

IXFH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXFV 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 30N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

Другие MOSFET... IXFT14N100 , IXFT15N100 , IXFT15N80Q , IXFT20N60Q , IXFT20N80Q , IXFT24N100 , IXFT26N50Q , IXFT26N60Q , RFP50N06 , IXFT32N50 , IXFT32N50Q , IXFT40N30Q , IXFT4N100Q , IXFT52N30Q , IXFT58N20Q , IXFT60N25Q , IXFT6N100Q .

 

 
Back to Top