STL7N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL7N10F7
   Código: 7N10F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL7N10F7

STL7N10F7 Datasheet (PDF)

..1. Size:869K st
stl7n10f7.pdf

STL7N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 7 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL7N10F7 100 V 0.035 7 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching app

9.1. Size:973K st
stl7n6lf3.pdf

STL7N6LF3Automotive-grade N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL7N6LF3 60 V 43 m 6.5 A Designed for automotive applications and 1AEC-Q101 qualified234 Logic level VGS(th) 175 C junction temperature 100% avalanche ratedPower

9.2. Size:298K st
stl7n60m2.pdf

STL7N60M2 N-channel 600 V, 0.92 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 package Datasheet - production data Features Order code V @ Tjmax R max I DS DS(on) DSTL7N60M2 650 V 1.05 5 A 675 Extremely low gate charge 4 Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 112 Zener-protected PowerFLAT 5x5 Applic

9.3. Size:943K st
stl7n80k5.pdf

STL7N80K5N-channel 800 V, 0.95 typ., 3.6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL7N80K5 800 V 1.2 3.6 A Outstanding RDS(on)*area1 Worldwide best FOM (figure of merit)23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener

9.4. Size:699K st
stl7nm60n.pdf