Справочник MOSFET. STL7N10F7

 

STL7N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL7N10F7
   Маркировка: 7N10F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3

 Аналог (замена) для STL7N10F7

 

 

STL7N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  st
 stl7n10f7.pdf

STL7N10F7 STL7N10F7

STL7N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 7 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL7N10F7 100 V 0.035 7 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching app

 9.1. Size:973K  st
 stl7n6lf3.pdf

STL7N10F7 STL7N10F7

STL7N6LF3Automotive-grade N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL7N6LF3 60 V 43 m 6.5 A Designed for automotive applications and 1AEC-Q101 qualified234 Logic level VGS(th) 175 C junction temperature 100% avalanche ratedPower

 9.2. Size:298K  st
 stl7n60m2.pdf

STL7N10F7 STL7N10F7

STL7N60M2 N-channel 600 V, 0.92 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 package Datasheet - production data Features Order code V @ Tjmax R max I DS DS(on) DSTL7N60M2 650 V 1.05 5 A 675 Extremely low gate charge 4 Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 112 Zener-protected PowerFLAT 5x5 Applic

 9.3. Size:943K  st
 stl7n80k5.pdf

STL7N10F7 STL7N10F7

STL7N80K5N-channel 800 V, 0.95 typ., 3.6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL7N80K5 800 V 1.2 3.6 A Outstanding RDS(on)*area1 Worldwide best FOM (figure of merit)23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener

 9.4. Size:699K  st
 stl7nm60n.pdf

STL7N10F7 STL7N10F7

STL7NM60NN-channel 600 V, 0.805 , 5.8 A PowerFLAT (5x5)MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDTJMAX max.STL7NM60N 650 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top