STL86N3LLH6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL86N3LLH6AG
   Código: 86N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

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STL86N3LLH6AG Datasheet (PDF)

..1. Size:1003K st
stl86n3llh6ag.pdf

STL86N3LLH6AGAutomotive-grade N-channel 30 V, 0.004 typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max IDSTL86N3LLH6AG 30 V 0.0052 80 A Designed for automotive application and 12AEC-Q101 qualified34 Very low on-resistancePowerFLAT 5x6 Very low gate charge High

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