STL86N3LLH6AG Todos los transistores

 

STL86N3LLH6AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL86N3LLH6AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL86N3LLH6AG datasheet

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STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AG Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID STL86N3LLH6AG 30 V 0.0052 80 A Designed for automotive application and 1 2 AEC-Q101 qualified 3 4 Very low on-resistance PowerFLAT 5x6 Very low gate charge High

Otros transistores... STL6NM60N , STL6P3LLH6 , STL70N10F3 , STL75NH3LL , STL7DN6LF3 , STL7N10F7 , STL7N6LF3 , STL7N80K5 , 7N65 , STL8DN10LF3 , STL8DN4LLF6 , STL8DN6LF3 , STL8N10F7 , STL8N10LF3 , STL8N80K5 , STL8NH3LL , STL8P2UH7 .

History: JMSH1018PGD | BF1101 | AGM15T13F | PA910BD | SSM40N03P | P057AAT | CEB6060N

 

 
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