Справочник MOSFET. STL86N3LLH6AG

 

STL86N3LLH6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL86N3LLH6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL86N3LLH6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  st
 stl86n3llh6ag.pdf pdf_icon

STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AGAutomotive-grade N-channel 30 V, 0.004 typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max IDSTL86N3LLH6AG 30 V 0.0052 80 A Designed for automotive application and 12AEC-Q101 qualified34 Very low on-resistancePowerFLAT 5x6 Very low gate charge High

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.