STL86N3LLH6AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL86N3LLH6AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL86N3LLH6AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL86N3LLH6AG даташит

 ..1. Size:1003K  st
 stl86n3llh6ag.pdf pdf_icon

STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AG Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID STL86N3LLH6AG 30 V 0.0052 80 A Designed for automotive application and 1 2 AEC-Q101 qualified 3 4 Very low on-resistance PowerFLAT 5x6 Very low gate charge High

Другие IGBT... STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, 7N65, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7