STL8DN10LF3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL8DN10LF3
Código: 8DN10LF3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL8DN10LF3
STL8DN10LF3 Datasheet (PDF)
stl8dn10lf3.pdf
STL8DN10LF3Automotive-grade dual N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL8DN10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 12AEC-Q101 qualified34 Logic level VGS(th)PowerFLAT 5x6 175 C junction
stl8dn6lf3.pdf
STL8DN6LF3Dual N-channel 60 V, 22.5 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL8DN6LF3 60 V
stl8dn4llf6.pdf
STL8DN4LLF6Dual N-channel 40 V, 0.025 typ., 8 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet - target specificationFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID0.03 (VGS=10 V)STL8DN4LLF6 40 V 8 A0.05 (VGS=4.5 V) Very low on-resistance High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6double islandApplications Switching
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