STL8DN10LF3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL8DN10LF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL8DN10LF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL8DN10LF3 даташит

 ..1. Size:1021K  st
 stl8dn10lf3.pdf pdf_icon

STL8DN10LF3

STL8DN10LF3 Automotive-grade dual N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL8DN10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 1 2 AEC-Q101 qualified 3 4 Logic level VGS(th) PowerFLAT 5x6 175 C junction

 8.1. Size:772K  st
 stl8dn6lf3.pdf pdf_icon

STL8DN10LF3

STL8DN6LF3 Dual N-channel 60 V, 22.5 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL8DN6LF3 60 V

 8.2. Size:585K  st
 stl8dn4llf6.pdf pdf_icon

STL8DN10LF3

STL8DN4LLF6 Dual N-channel 40 V, 0.025 typ., 8 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet - target specification Features Order code VDS RDS(on)max ID 0.03 (VGS=10 V) STL8DN4LLF6 40 V 8 A 0.05 (VGS=4.5 V) Very low on-resistance High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 double island Applications Switching

Другие IGBT... STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, IRFP250N, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7, STL8P4LLF6